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  • 天津國芯科技有限公司

    CCM4201S-L芯片

     

    CCM4201S-L芯片簡介

     

     概述

       CCM4201S-L安全芯片采用獨立的Cortex-M4F內(nèi)核進行設(shè)計,具有低功耗、高性能、多功能及高安全性等特點,可廣泛應(yīng)用于指紋識別、微型打印機等領(lǐng)域。工作頻率200MHz。

     功能特點

    2.1   CPU特性

    l  32位高性能核Cortex-M4F

    l  工作頻率200MHz

    l  處理性能強勁,配合快速中斷響應(yīng)

    l  增強的系統(tǒng)調(diào)試功能,擴展的斷點和追蹤能力

    l  有效率的處理器核心,系統(tǒng)和存儲器

    l  內(nèi)置的睡眠模式實現(xiàn)極低功耗

    l  內(nèi)置的存儲保護單元(MPU)實現(xiàn)平臺安全魯棒性

    l  兼容IEEE754的單精度FPU

    2.2   片上存儲資源

    l  224KB SRAM+32KB TCM SRAM

        l  4KB OTP

              l  QFN32合封2MB FLASH

          l  QFN64合封2MB FLASH2MB PSRAM

      2.3   內(nèi)部模塊

    l  DMA/EDMA

    l  定時器(PIT32bit

    l  看門狗(WDT

    l  計時器(TC

    l  實時時鐘(RTC

    2.4   安全特性

    l  公鑰算法引擎

    -            RSA1024

    密鑰對生成:166mS/

    解密/簽名: 2.7mS/

    加密/驗簽: 0.26mS/

    -            RSA2048

    密鑰對生成:1.2S/

    解密/簽名: 17.2mS/

    加密/驗簽: 0.57mS/

    -            SM2

    密鑰對生成:2.1mS/

    簽名:2.1mS/

                         驗證: 4.1mS/

     l  對稱算法引擎

    -            DES/3DES支持ECB/CBC/CFB/OFB/CTR模式

    DES加、解密速度:63.36MB/s

    -            AES支持ECB/CBC/CFB/OFB/CTR模式

    AES_128加、解密速度:51.7MB/s

    AES_256加、解密速度:40.5MB/s

    -            SM4支持ECB/CBC/CFB/OFB/CTR模式

    加、解密速度:39.1MB/s

    l  摘要算法引擎

    -            SM3

    64.9MB/S

    -            SHA-0/ SHA-1/ SHA-224/ SHA-256/ SHA-384/ SHA-512

    SHA-0   63.42MB/s

    SHA-1   63.43MB/s

    SHA-224 59.91MB/s

    SHA-256 59.87MB/s

    l  CRC

    -            支持8/16/32crc操作

    -            支持DMAC交互

    -            支持EDMAC交互

    -            支持SPI交互

    l  真隨機數(shù)發(fā)生器,符合FIPS 140-2標(biāo)準(zhǔn)和國家商密標(biāo)準(zhǔn)

    l  安全檢測與防護單元

    -            電壓異常檢測單元

    -            光照異常檢測單元

    -            電源毛刺檢測單元

    -            支持金屬屏蔽保護

    -            溫度異常檢測單元

    -            頻率異常檢測單元

    -            支持時鐘和復(fù)位脈沖過濾

    -            安全優(yōu)化布線

    2.5   其他特性

    l  每一顆產(chǎn)品具有唯一序列號

    l  供電電壓:2.97V~3.63V

    l  功耗

    -            典型功耗:40mA@200Mhz

    -            低功耗模式:100uA

    -            休眠模式:1uA

    l  ESD(HBM)4KV

    l  支持內(nèi)部上電復(fù)位和外部復(fù)位

    l  工作溫度:-40℃~85℃

    3  封裝形式

    4  典型應(yīng)用

    l  指紋模塊

    5  技術(shù)支持

    l  完整的開發(fā)環(huán)境

    l  豐富的驅(qū)動庫

               l  完善的應(yīng)用解決方案